张立瑶

发布者:姜珍珍发布时间:2019-03-13浏览次数:943

一、个人简介:

张立瑶,讲师,上海市扬帆人才计划。



二、主要学习及工作经历

2017.11-至今,上海理工大学,讲师

2017.02-2017.05,荷兰埃因霍芬理工大学,访问学者2015.04-2017.10,中科院上海微系统与信息技术研究所,博士后

2014.07-2015.03,中国电子科技集团公司第五十五研究所,工程师

2013.07-2014.06,中科院上海微系统与信息技术研究所,助理研究员

2008.09-2013.06,中科院上海技术物理研究所,微电子学与固体电子学,博士

2004.09-2008.06,华中科技大学,光信息科学与技术,学士

三、科研项目

1、主持:

(1) 2019.5-2022.4上海市扬帆计划,20

(2) 2018.1-2019.12国家重点实验室开放课题,10

2、参与:

(1) 2014.1-2018.7973计划,1200

(2) 2014.1-2018.12,国家自然基金重点项目,260

(3) 2015.7-2015.12,华为技术有限公司横向课题,64

四、科研成果

近三年一作、通讯发表主要论文如下:

  1. L. Zhang, Y. Song, Q. Chen, et al. InPBi quantum dots for super-luminescence diodes. Nanomaterials 8.9 (2018): 705. ( IF: 3.504 )

  2. L. Zhang, M. W, X. Chen, et al. Nanoscale distribution of Bi atoms in InP1-xBix, Scientific Reports 7 (2017): 12278. ( IF: 4.122 )

  3. L. Zhang, W. Pan, X. W, et al. Indium Phosphide Bismide, Progress in Metallic Alloys. InTech, ISBN (978-953-51-2697-3), Chapter 8, 2016.(专著)

  4. W. Pan, L. Zhang*, L. Zhu, et al. Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy, Semiconductor Science and Technology 32 (2016): 015007.通讯作者( IF: 2.28 )

  5. W. Pan, L. Zhang*, L. Zhu, et al. Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Applied Physics 120 (2016): 105702. 通讯作者( IF: 2.176 )

五、主要学术活动

12019年起,担任《Applied surface science》(IF4.439)的审稿人

22018年起,担任《Superlattices and Microstructures》(IF2.099)的审稿人

32016.7“7th International Workshop on Bi-containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices”组委会成员

六、研究方向

主要从事III-V族及IV族光电子材料和器件(激光器、LED、探测器等)的材料生长、表征、器件工艺及理论计算等。

七、联系方式

招生要求:物理、(光)电子相关专业,对半导体物理、固体物理有较好的功底。

E-maillyzhang@usst.edu.cn



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